91033, Украина, г.Луганск
ул.Цимлянская, 2Б
+38(0642)922542
pryroda@pryroda.org

Селен

article21.jpg

Установка выращивания полупроводниковых кристаллов цилиндрической формы соединений группы АIIBVI вертикальным методом Бриджмена из расплава под высоким давлением инертного газа (аргона).

Технические характеристики:
 
  • Максимальный диаметр выращиваемого кристалла, мм 40 
  • Высота кристаллической були, мм ≤ 100
  • Максимальное давление инертного газа, атм 30
  • Максимальная температура в зоне кристаллизации, оС 1600
  • Способ нагрева        резистивный
  • Потребляемая электрическая мощность при 1500 оС, кВт ≤ 15
  • Максимальный ход тигля, мм 345
  • Скорость перемещения тигля при кристаллизации, мм/час 0,3÷2
  • Ускоренное перемещение тигля, мм/час ≤ 3000
  • Давление охлаждающей воды на входе установки, атм 2÷2,5
  • Потребление охлаждающей воды, л/мин ≤ 20
  • Температура охлаждающей воды на входе установки, оС 16÷25
  • Давление в камере при вакуумировании, мм рт.ст. ≤ 10-1
  • Максимальная высота установки, м 4
  • Площадь, занимаемая установкой, м2 ≤ 2,5